Компания Samsung представила высокопроизводительные модули памяти HBM2E (Flashbolt), которые будут применяться в том числе в суперкомпьютерах для совершенствования работы с искусственным интеллектом и графикой. Новая память получила вдвое большую ёмкостью по сравнению с предшественником, а также обеспечивает существенный рост производительности и энергоэффективности.
Сообщается, что ёмкость 16 ГБ достигается за счёт вертикального размещения на матрице восьми слоев 16-гигабитных DRAM-чипов класса 10 нм. После этого модули HBM2E соединяются между собой с помощью более 40 тысяч микроскопических отверстий.
Память Flashbolt обеспечивает скорость передачи данных до 4,2 Гбит/с, а максимальная пропускная способность составляет 538 ГБ/с.
Серийное производство новой памяти начнётся в первом полугодии 2020 года.